| 硅基MIS隧道二极管的研究 |
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| 引用本文： | 俞建华 王启明. 硅基MIS隧道二极管的研究[J]. 发光学报, 1999, 20(1): 40-42 |
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| 作者姓名： | 俞建华 王启明 |
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| 作者单位： | 东南大学电子工程系，中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,集成光电子国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 硅基ＭＩＳ隧道发光二极管为制造用于超大规模集成电路的硅基光器件提供了可能性，报道了ＭＩＳ隧道发光二极管的制作 过程，电流电压和发射光谱特性，讨论了负阻现象和发光机理。
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| 关 键 词： | MIS 隧道二级管 硅基 发光机理 |
RESEARCH OF SILICON BASED MIS TUNNEL DIODE |
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| Yu Jianhua Sun Chengxiu Liu Kelin Gao Zhonglin. RESEARCH OF SILICON BASED MIS TUNNEL DIODE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999, 20(1): 40-42 |
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| Authors: | Yu Jianhua Sun Chengxiu Liu Kelin Gao Zhonglin |
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| Abstract: | Silicon based MIS light emiting tunnel diode shows the possibility for making silicon based light emitting devices that can be used in Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits. In this paper, we report the fabrication technique , current voltage ( I V ) characteristic and light emission spectra of MIS tunnel diode. |
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| Keywords: | light emission MIS tunnel diode surface plasmon |
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