| 一种新型的BiCMOS带隙基准电压源 |
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| 引用本文： | 陈友福,李平,刘银,罗和平.一种新型的BiCMOS带隙基准电压源[J].微电子学,2006,36(3):381-384. |
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| 作者姓名： | 陈友福 李平 刘银 罗和平 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,大规模集成电路设计中心,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 在分析传统带隙基准结构的基础上,根据当前集成电路设计中对基准电源的低压、低功耗、高电源抑制比的要求,设计了一种结构比较新颖的基准电压源电路。该电路工作在电流模式,带有启动电路和电流补偿电路,静态电流约为10μA,具有较低的温度系数和较高的电源抑制比。
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| 关 键 词： | BiCMOS 带隙基准 低功耗 电源抑制比 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）03-0381-04 |
| 收稿时间： | 2005-08-17 |
| 修稿时间： | 2005-08-172005-10-21 |
A New BiCMOS Bandgap Voltage Reference |
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| CHEN You-fu,LI Ping,LIU Yin,LUO He-ping.A New BiCMOS Bandgap Voltage Reference[J].Microelectronics,2006,36(3):381-384. |
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| Authors: | CHEN You-fu LI Ping LIU Yin LUO He-ping |
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| Institution: | VLSI Design Center, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BiCMOS Bandgap reference Low power PSRR |
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