| p-i-nInP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP探测器结构优化 |
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| 引用本文： | 朱敏,陈俊,吕加兵,唐恒敬,李雪.p-i-nInP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP探测器结构优化[J].光子学报,2016(1):117-121. |
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| 作者姓名： | 朱敏 陈俊 吕加兵 唐恒敬 李雪 |
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| 作者单位： | 1. 苏州大学电子信息学院,江苏苏州,215006;2. 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和器件重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.61307044);江苏省自然科学基金(No.BK20130321);教育部高等学校博士学科点专项科研基金(No.20133201120009);教育部留学人员回国启动基金;中科院红外成像材料与器件重点实验室开放课题(No.IIMDKFJJ-13-01)和江苏省普通高校研究生实践创新计划(Nos.SJLX15-0600;SJLX15-0601)资助 The National Natural Science Foundation of China (No.61307044) |
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| 摘 要： | 利用半导体仿真工具Silvaco对p-i-n InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP近红外光探测器进行优化仿真.参考实际器件对红外探测器进行建模,并将其暗电流、光谱响应仿真结果与实验结果进行拟合,保证仿真结果的有效性.以减小探测器的暗电流为目的,优化其结构.针对探测器吸收层厚度和吸收层掺杂浓度对暗电流、光响应的影响进行研究,发现当吸收层厚度大于0.3μm后,暗电流不再上升,但光响应随着吸收层厚度的增加而增大;当吸收层掺杂浓度不断上升时,器件暗电流不断降低,当掺杂浓度上升到2×1017/cm3时,暗电流达到最低值.本文还研究了p-i-n型探测器的瞬态响应,探究了响应速度与反偏电压之间的关系,发现提高反偏电压能减小探测器响应时间.
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| 关 键 词： | InGaAs/InP 近红外光探测器 暗电流 光响应 瞬态响应 |
Optimization of p-i-n InP/In0.53Ga0.47As/InP Photodetector |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAs/InP Infrared photodetector Dark current Photoresponse Transient response |
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