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| 半导体中光的相干传播理论(Ⅱ) | |
| 引用本文： | 甘子钊,杨国桢.半导体中光的相干传播理论(Ⅱ)[J].物理学报,1981,30(8):1041-1055. |
| 作者姓名： | 甘子钊 杨国桢 |
| 作者单位： | (1)北京大学物理系; (2)中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 本文是关于半导体中光的相干传播理论的第二部分。考虑到电子空穴间的相互作用,我们讨论了光波与半导体的相互作用,得到了描述光激发电子空穴极化波的方程。我们指出只有在激发比较弱时,这组方程才可近似为一组线性方程,电子空穴极化波才可以看作玻色场。本文还着重讨论了分立的激子谱线的相干激发,证明了它可以近似等效于一个二能级系统的激发,等效的二能级系统的能级差和激发的程度有关,等效的二能级“原子”的“浓度”由激子波函数的性质决定。
关键词： |
| 收稿时间： | 1980-12-29 |
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