| 生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 王彬,赵子文,邱宇,马金雪,张贺秋,胡礼中.生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响[J].人工晶体学报,2010,39(5):1119-1123. |
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| 作者姓名： | 王彬 赵子文 邱宇 马金雪 张贺秋 胡礼中 |
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| 作者单位： | 大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116024 |
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| 基金项目： | 辽宁省教育厅重点实验室基金，高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射法于500 ℃、550 ℃、600 ℃和650 ℃下在Al2O3(001)衬底上生长ZnO薄.对生长的ZnO薄膜后分别进行了800 ℃退火和1000 ℃退火处理.利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 磁控溅射 结晶质量 退火处理 |
Influence of Growth and Annealing Temperatures on Properties of ZnO Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering |
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| WANG Bin,ZHAO Zi-wen,QIU Yu,MA Jin-xue,ZHANG He-qiu,HU Li-zhong.Influence of Growth and Annealing Temperatures on Properties of ZnO Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(5):1119-1123. |
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| Authors: | WANG Bin ZHAO Zi-wen QIU Yu MA Jin-xue ZHANG He-qiu HU Li-zhong |
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