| NbOx忆阻神经元的设计及其在尖峰神经网络中的应用 |
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| 引用本文： | 古亚娜,梁燕,王光义,夏晨阳.NbOx忆阻神经元的设计及其在尖峰神经网络中的应用[J].物理学报,2022(11):47-59. |
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| 作者姓名： | 古亚娜 梁燕 王光义 夏晨阳 |
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| 作者单位： | 1. 杭州电子科技大学电子信息学院;2. 中国矿业大学电气工程学院江苏省煤矿电气与自动化工程实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:62171173)；;浙江省自然科学基金(批准号:LY20F010008)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | NbOx忆阻器凭借其纳米尺寸、阈值切换及局部有源特性在神经形态计算领域展现出巨大的应用前景.对NbOx忆阻器动力学特性的深入分析和研究有利于忆阻神经元电路的设计和优化.本文基于局部有源理论,采用小信号分析方法对NbOx忆阻器物理模型展开了研究,定量分析了产生尖峰振荡的区域和条件,并确定了激励信号幅值和尖峰频率之间的定量关系.基于上述理论分析,进一步设计了NbOx忆阻器神经元,并结合忆阻突触十字交叉阵列,构建了25×10的尖峰神经网络(spiking neuron network,SNN).最后,分别利用频率编码和时间编码两种方式,有效地实现了数字0到9模式的识别功能.
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| 关 键 词： | NbOx忆阻器 局部有源 人工神经元 尖峰神经网络 |
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