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| 超薄屏蔽层300 V SOI LDMOS抗电离辐射总剂量仿真研究 | |
| 作者姓名： | 张书豪 袁章亦安 乔明 张波 |
| 作者单位： | 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;2. 电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:62174024);;广东省基础与应用基础研究基金(批准号:2021B1515020031)资助的课题~~; |
| 摘 要： | 本文研究了300 V绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在电离辐射总剂量效应下的线性电流退化机理,提出了一种具有超薄屏蔽层的抗辐射结构实现线性电流加固.超薄屏蔽层位于器件场氧化层的下方,旨在阻止P型掺杂层表面发生反型,从而截断表面电流路径,有效抑制线性电流的退化.对于横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,漂移区上的场氧化层中引入的空穴对线性电流的退化起着主导作用.本文基于器件工艺仿真软件,研究器件在辐照前后的电学特性,对超薄屏蔽层的长度、注入能量、横向间距进行优化,给出相应的剂量窗口,在电离辐射总剂量为0—500 krad(Si)的条件下,将最大线性电流增量从传统结构的447%缩减至10%以内,且辐照前后击穿电压均维持在300 V以上. |
| 关 键 词： | 总剂量效应 横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 超薄屏蔽层 线性电流加固 绝缘体上硅 |