1T-NbSeTe电子结构的角分辨光电子能谱 |
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引用本文: | 魏志远,胡勇,曾令勇,李泽宇,乔振华,罗惠霞,何俊峰.1T-NbSeTe电子结构的角分辨光电子能谱[J].物理学报,2022(12):440-447. |
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作者姓名: | 魏志远 胡勇 曾令勇 李泽宇 乔振华 罗惠霞 何俊峰 |
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作者单位: | 1. 中国科学技术大学物理系中科院强耦合量子材料物理重点实验室;2. 瑞士保罗谢尔研究所;3. 中山大学材料科学与工程学院 |
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基金项目: | 中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:WK2030000035,WK3510000008); |
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摘 要: | 过渡金属二硫族化物因其广泛存在超导、电荷密度波等新奇的物理现象成为了近些年来凝聚态物理研究中的一大热点,同时这也为研究超导和电荷密度波等电子序之间的相互作用提供了典型的材料体系.本文利用角分辨光电子能谱对1T结构的NbSeTe单晶进行系统的研究,揭示了其电子结构.沿高对称方向的能带测量发现, 1T-NbSeTe布里渊区M点附近存在一个范霍夫奇点,能量位于费米能以下约250 meV处.对能带色散的仔细分析发现该体系中没有明显电子-玻色子(声子)耦合带来的能带扭折.基于上述实验结果,对过渡金属二硫族化物中电荷密度波和超导的产生以及1T-NbSeTe中电荷密度波和超导被抑制的可能原因进行了讨论.
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关 键 词: | 过渡金属二硫族化物 角分辨光电子能谱 范霍夫奇点 电子-玻色子耦合 |
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