| 单层二维量子自旋霍尔绝缘体1T'-WTe2研究进展 |
| |
| 引用本文： | 贾亮广,刘猛,陈瑶瑶,张钰,王业亮.单层二维量子自旋霍尔绝缘体1T'-WTe2研究进展[J].物理学报,2022(12):303-316. |
| |
| 作者姓名： | 贾亮广 刘猛 陈瑶瑶 张钰 王业亮 |
| |
| 作者单位： | 北京理工大学集成电路与电子学院低维量子结构与器件工信部重点实验室 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:92163206,61725107)；;国家重点研发计划(批准号:2020YFA0308800,2021YFA1400100)；;北京市自然科学基金(批准号:Z190006)；;中国博士后科学基金(批准号:2021M700407)资助的课题~~； |
| |
| 摘 要： | 量子自旋霍尔效应通常存在于二维拓扑绝缘体中,其具有受拓扑保护的无耗散螺旋边界态. 2014年,理论预言单层1T’相过渡金属硫族化合物是一类新型的二维量子自旋霍尔绝缘体.其中,以单层1T’-WTe2为代表的材料体系具有原子结构稳定、体带隙显著、拓扑性质易于调控等许多独特的优势,对低功耗自旋电子器件的发展具有重要的意义.本文总结了单层1T’-WTe2在实验上的最新进展,包括基于分子束外延生长的材料制备,螺旋边界态的探测及其对磁场的响应,掺杂、应力等手段在单层1T’-WTe2中诱导出的新奇量子物态等.也对单层1T’-WTe2未来可能的应用前景进行了展望.
|
| 关 键 词： | 单层1T’-WTe2 拓扑绝缘体 量子自旋霍尔效应 螺旋边界态 |
|
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
