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聚苯胺/钴-氧化钴膜作传感元件的pH传感器的性能
引用本文:金根娣,杜诗,胡效亚.聚苯胺/钴-氧化钴膜作传感元件的pH传感器的性能[J].应用化学,2009,26(5):0-0.
作者姓名:金根娣  杜诗  胡效亚
作者单位:扬州大学化学化工学院,扬州,225002
摘    要:研究了在玻碳电极上修饰不同物质所制得的pH传感器,通过电位滴定的方法比较得出先修饰聚苯胺,再修饰钴-氧化钴膜的电极对pH有较好的响应,能代替玻璃电极应用在实际样品测定中. 探究了最佳修饰条件为:先在0.1 mol/L苯胺的盐酸(1 mol/L)溶液中, 电位范围为-0.2~1.0 V,以100 mV/s 的扫描速率循环伏安扫描10圈修饰聚苯胺膜;接着在含2.0×10-4 mol/L Co2+的磷酸盐缓冲溶液(PBS)(pH=7.5)中,电位范围为-1.2~1.2 V,以100 mV/s的扫描速率循环伏安扫描 5圈修饰钴-氧化钴膜. 得到的修饰电极响应斜率为-61.60 mV/pH,响应范围pH值为0.5~13.

关 键 词:聚苯胺  钴-氧化钴膜  电位滴定
收稿时间:2009-06-29
修稿时间:2009-06-29

Properties of pH Sensors Modified by PAN/Co-Co3O4 as Sensing Element
JIN Gen-Di,DU Shi,HU Xiao-Ya.Properties of pH Sensors Modified by PAN/Co-Co3O4 as Sensing Element[J].Chinese Journal of Applied Chemistry,2009,26(5):0-0.
Authors:JIN Gen-Di  DU Shi  HU Xiao-Ya
Abstract:
Keywords:
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