| 用反型层模型探讨n—Ge中的常温反常霍耳效应 |
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| 引用本文： | 邢旭,姜伟,王锡绂. 用反型层模型探讨n—Ge中的常温反常霍耳效应[J]. 物理学报, 1989, 38(7): 1210-1214 |
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| 作者姓名： | 邢旭 姜伟 王锡绂 |
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| 作者单位： | (1)东北师范大学物理系; (2)东北师范大学物理系,辽阳石油化工专科学校 |
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| 摘 要： | 本文用反型层模型,对常温下n-Ge中的反常霍耳效应进行了理论上的定量计算,取得了与实验一致的结果。关键词：
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| 关 键 词： | 反型层模型 n－Ge 反常霍耳效应 |
| 收稿时间： | 1988-11-22 |
INVESTIGATION OF THE ANOMALOUS HALL EFFECT IN n-Ge AT ROOM TEMPERATURE BY THE INVERSION LAYERS MODEL |
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| XING XU,JIANG WEI and WANG XI-FU. INVESTIGATION OF THE ANOMALOUS HALL EFFECT IN n-Ge AT ROOM TEMPERATURE BY THE INVERSION LAYERS MODEL[J]. Acta Physica Sinica, 1989, 38(7): 1210-1214 |
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| Authors: | XING XU JIANG WEI WANG XI-FU |
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| Abstract: | In this paper, we make quantitative rheor ncal calculation for the anomalous Hall effect in n-Ge semiconductor at room teperature by use of the inversion layers model. The results are in agreement with the experiments. |
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