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分子束外延生长Si/GaP(III)异质结的界面特性
引用本文:邓容平 蒋维栋. 分子束外延生长Si/GaP(III)异质结的界面特性[J]. 物理学报, 1989, 38(8): 1265-1270
作者姓名:邓容平 蒋维栋
作者单位:复旦大学物理系
摘    要:
关键词

关 键 词:半导体 异质结 硅 磷化镓 外延生长

INTERFACIAL PROPERTIES OF Si/GaP(111) HETEROJUNCT10N GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
Yan Jia-ren,Zou Feng-wu. INTERFACIAL PROPERTIES OF Si/GaP(111) HETEROJUNCT10N GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY[J]. Acta Physica Sinica, 1989, 38(8): 1265-1270
Authors:Yan Jia-ren  Zou Feng-wu
Abstract:

Keywords
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