| X射线衍射研究N2+注入Si |
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| 引用本文： | 马德录,尚德颖,于锦华. X射线衍射研究N2+注入Si[J]. 物理学报, 1989, 38(4): 579-585 |
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| 作者姓名： | 马德录 尚德颖 于锦华 |
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| 作者单位： | (1)辽宁大学物理系; (2)辽宁大学物理系,沈阳冶金机械专科学校 |
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| 摘 要： | 本文首先给出了180keV的N2+注入Si的X射线衍射(XRD)分布,然后用Levenberg-Marquardt最优化方法模拟实验曲线。根据XRD运动学理论,在我们给出的试探胁变函数和多层模型的基础上,用自编程序计算给出了晶格胁变随注入深度、剂量和退火温度的变化。最后我们对实验和计算结果进行了初步的分析讨论。关键词：
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| 关 键 词： | 离子注入 N2^＋ Si 研究 |
| 收稿时间： | 1988-07-25 |
XRD STUDY OF N2+ IMPLANTED Si |
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| MA DE-LU,SHANG DE-YING and YU JIN-HUA. XRD STUDY OF N2+ IMPLANTED Si[J]. Acta Physica Sinica, 1989, 38(4): 579-585 |
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| Authors: | MA DE-LU SHANG DE-YING YU JIN-HUA |
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| Abstract: | The distributions of X-ray diffraction (XRD) of N2+ (180 keV) implanted Si are presented. On the basis of trial and error strain function and multilayer model, according to kinematic theory of XRD, with Levenberg-Marqardt optimization method to simulate experimental curve we computed the strain distribution as the functions of depth, dose and annealing temperature. The results are analysed and discussed. |
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