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HEMT计算机模拟
引用本文:周建国,曾庆明,邓先灿.HEMT计算机模拟[J].微纳电子技术,1988(5).
作者姓名:周建国  曾庆明  邓先灿
摘    要:本文采用二维有限元法,对高电子迁移率晶体管HEMT进行数值模拟,编制模拟程序,用计算机求解描述电场和载流子分布规律方程,得到各种状态下的分布,从二维电子气(2DEG)随栅压变化的曲线中发现在耗尽和饱和两种临界状态下,其面密度与栅压成非线性关系;而处于中间状态时,则近似为线性的。绘制了电位和载流子分布的三维图形,此图形对于理解器件工作机理具有很大的帮助,因考虑了2DEG的速度过冲现象,所以在加偏压的情况下。沟道中无偶极畴出现。

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