| SA/PMMA的可擦除光存储特性研究 |
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| 作者姓名： | 陆子凤 王广安 刘益春 刘春光 赵立竹 |
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| 作者单位： | 1.东北师范大学理论物理研究所, 吉林长春, 130021;2.中国科学院激发态物理开放研究实验室, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林长春, 130021;3.东北师范大学物理系, 吉林长春, 130021 |
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| 基金项目： | 吉林省科技厅应用基础项目 ( 19980 5 2 4),吉林省杰出青年科学研究计划 ( 1 17 6 )基金资助项目 |
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| 摘 要： | 用在聚甲基丙稀酸甲脂(PMMA)中掺杂邻羟基亚甲基苯胺(SA)样品,实现了可见光区域的可擦除光存储.以Ar+激光488.0nm线为写入光,He-Ne激光632.8nm线为读出光,研究了光栅生长的动力学过程.在写入和擦除过程中,均观察到了衍射信号随时间先增强后减弱的趋势.探讨了写入光和擦除光功率对衍射信号的影响.依据相干光调制形成相位光栅和光异构产生压力梯度引起分子扩散的光物理过程对光存储机制进行了探讨.
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| 关 键 词： | 邻羟基亚甲基苯胺 光存储 全息光栅 |
| 文章编号： | 1000-7032(2002)01-0075-06 |
| 收稿时间： | 2001-04-26 |
| 修稿时间： | 2001-04-26 |
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