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大功率低偏振度超辐射发光二极管的研制北大核心CSCD
引用本文:李吴皓,王定理,李中坤,单静春,黄晓东,汤宝.大功率低偏振度超辐射发光二极管的研制北大核心CSCD[J].激光与红外,2022,52(2):217-222.
作者姓名:李吴皓  王定理  李中坤  单静春  黄晓东  汤宝
作者单位:武汉光迅科技股份有限公司,湖北 武汉430074
摘    要:超辐射发光二极管(SLED)是一种非相干性光源,具有激光器功率大,耦合效能高的优点,同时也有着频谱宽、相干长度短等特点,可以应于光学相干层析技术和波分复用技术等领域。未来的发展方向是更大的功率,更大的带宽以及更低的消光比。本论文研究了1310 nm波段具有掩埋异质结构的高性能SLED芯片的设计与波导工艺制作,采取7°倾斜波导并镀上反射率小于0.1%的增透膜。经测试该SLED芯片具有大的饱和出光功率(超过20 mW),低的偏振消光比(低于0.5 dB),以及良好的光谱特性(3 dB光谱带宽大于50 nm,光谱纹波小于0.1 dB)。

关 键 词:超辐射发光二极管  掩埋异质结  大功率  低偏振消光比  宽光谱
修稿时间:2021/7/8 0:00:00

Study of high power low polarization superluminescent diodes
LI Wu-hao,WANG Ding-li,LI Zhong-kun,SHAN Jing-chun,HUANG Xiao-dong,TANG Bao.Study of high power low polarization superluminescent diodes[J].Laser & Infrared,2022,52(2):217-222.
Authors:LI Wu-hao  WANG Ding-li  LI Zhong-kun  SHAN Jing-chun  HUANG Xiao-dong  TANG Bao
Institution:Accelink Technologies Co,Ltd,Wuhan 430074,China
Abstract:
Keywords:
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