| 反应磁控溅射法制备HfO2金刚石红外增透膜 |
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| 引用本文： | 郭会斌,王凤英,贺琦,魏俊俊,王耀华,吕反修. 反应磁控溅射法制备HfO2金刚石红外增透膜[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(6): 1355-1360 |
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| 作者姓名： | 郭会斌 王凤英 贺琦 魏俊俊 王耀华 吕反修 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 采用纯铪(Hf)金属靶,在氧+氩反应气氛中进行了HfO2薄膜直流反应磁控溅射沉积.首先在单晶硅片上沉积薄膜,研究工艺参数改变对薄膜的影响,然后选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果.利用X射线光电子能谱(XPS)研究了O2/Ar比例对薄膜组成的影响.利用X射线衍射仪(GIXRD)和椭偏仪(Ellipsometer)研究了不同衬底温度对氧化铪薄膜组织结构和光学性能的影响.采用傅立叶红外光谱仪(FTIR)检测了镀膜前后金刚石红外透过性能,发现双面镀制HfO2薄膜能够有效提高金刚石在8～12 μm的红外透过性能,在8 μm处最大增透可达21.6;,使金刚石红外透过率达到88;;在3～5 μm范围,双面镀制了HfO2薄膜的金刚石平均透过率达66.8;,比没有镀膜的金刚石在该处的平均透过率54;高出12.8;.
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| 关 键 词： | HfO2薄膜 反应磁控溅射法 红外透过率 增透 |
Reactive Magnetron Sputtering of IR Anti-reflection HfO2 Coatings for Freestanding CVD Diamond Window Applications |
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| GUO Hui-bin,WANG Feng-ying,HE Qi,WEI Jun-jun,WANG Yao-hua,LU Fan-xiu. Reactive Magnetron Sputtering of IR Anti-reflection HfO2 Coatings for Freestanding CVD Diamond Window Applications[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(6): 1355-1360 |
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| Authors: | GUO Hui-bin WANG Feng-ying HE Qi WEI Jun-jun WANG Yao-hua LU Fan-xiu |
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