| InGaAsP和GaAlAs半导体激光器稳频放电吸收池的研究 |
| |
| 引用本文： | 王瑞峰 蔡伯荣. InGaAsP和GaAlAs半导体激光器稳频放电吸收池的研究[J]. 电子学报, 1997, 25(11): 69-71 |
| |
| 作者姓名： | 王瑞峰 蔡伯荣 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学光电子技术系 |
| |
| 基金项目： | 电子科学研究院予研基金 |
| |
| 摘 要： | 本文报导了我们采用“光电流”信号作为频率标准，稳定ＩｎＧａＡｓＰ和ＧａＡｌＡｓ半导体激光器输出光波频率所用的气体放电吸收池的设计与研制结果。
|
| 关 键 词： | 半导体激光器 频率稳定性 放电吸收池 光源 |
The Absorption Cells Used in the Frequency Stabilization of InGaAsP and GaAlAs Semiconductor Lasers |
| |
| Abstract: | We used the optogalvanic signal of a gas absorbtion cell as a frequency Standard to stabilize the frequency of InGaAsP and GaAlAs semiconductor lasers. We reprot mainly the results of the design and development on the absoption cells used. |
| |
| Keywords: | Semiconductor laser Frequency stabilization Discharge absorption cell Optogalvanic signal |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
