坩埚加速旋转-垂直下降法晶体生长设备的研制 |
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作者姓名: | 谷智 李国强 介万奇 郭平 |
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作者单位: | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072;西安精益晶体设备有限公司,西安,710021 |
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摘 要: | 根据CdZnTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求,设计制造了坩埚加速旋转-垂直下降法(ACRT-VBM)晶体生长系统.本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择,给出了系统的基本结构.晶体生长炉的温度控制精度为±1℃,系统的速度均匀度为±0.0015mm/h.该系统的性能指标满足生长直径30mm的CdZnTe晶体的要求.
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关 键 词: | CdZnTe 坩埚加速旋转-垂直下降法 晶体生长设备, |
文章编号: | 1000-985X(2003)04-0346-05 |
修稿时间: | 2003-04-11 |
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