| 射频溅射Indium-Tin-Oxide薄膜的结构和光电性质HT5"H |
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| 引用本文： | 简基康,郑毓峰,马忠权,李冬来,徐少辉.射频溅射Indium-Tin-Oxide薄膜的结构和光电性质HT5"H[J].新疆大学学报(理工版),2000,17(3):6-22. |
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| 作者姓名： | 简基康 郑毓峰 马忠权 李冬来 徐少辉 |
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| 作者单位： | 新疆大学物理系!新疆乌鲁木齐830046 |
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| 摘 要： | 用磁控射频溅射方法制备 Indium- Tin- Oxide(ITO)薄膜 ,研究了基片温度对薄膜结构、光、电性质的影响 .基片温度 41 0°时 ,结晶最好 ,相应的电学性质最优 ,并且解释了电学性质随结构变化的微观原因 .样品在可见光谱区的平均透过率超过 80 % ,受基片温度影响不大 ,确定薄膜的光能隙为 3.55ev
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| 关 键 词： | 射频溅射 ITO薄膜 氧化物半导体 光电性质 结构 |
Structural,Optical and Electrical Properties of Indium-Tin-Oxide Thin Films by rf Sputtering |
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| JIAN Ji-kang,ZHENG Yu-feng,MA Zhong-quan,LI Dong-Lai,XU Shao-hui.Structural,Optical and Electrical Properties of Indium-Tin-Oxide Thin Films by rf Sputtering[J].Journal of Xinjiang University(Science & Engineering),2000,17(3):6-22. |
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| Authors: | JIAN Ji-kang ZHENG Yu-feng MA Zhong-quan LI Dong-Lai XU Shao-hui |
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| Keywords: | ITO Thin films rf sputtering hall coefficient |
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