| NH3气氛处理制备p型ZnO薄膜及性能表征 |
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| 引用本文： | 唐立丹,张 跃.NH3气氛处理制备p型ZnO薄膜及性能表征[J].中国物理 B,2008,17(2):1145-1149. |
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| 作者姓名： | 唐立丹 张 跃 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料物理与化学系，北京 100083;北京科技大学材料物理与化学系，北京 100083；北京科技大学新金属材料国家重点实验室，北京 100083 |
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| 基金项目： | 国际科技合作计划项目(批准号：2006DFB51000)，国家高技术研究发展计划(863)(批准号：2006AAD032351)和国家自然科学基金国家合作与交流项目(批准号：50620120439)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用NH3气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO：Al薄膜，从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜.XRD，场发射扫描电子显微镜测试及Hall效应测试发现，处理温度对ZnO薄膜的结构和电学性能具有较大的影响，其中处理温度为700℃时，薄膜具有较好的c轴择优取向，并且薄膜表面平整，结构紧密，晶粒大小均匀，无明显空洞和裂缝，具有良好的表面质量，晶粒尺寸约为40—60nm，薄膜的导电类型由n型转变为p型.
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| 关 键 词： | p型ZnO， Al+N共掺杂， 直流/射频共溅射 |
| 修稿时间： | 7/5/2007 12:00:00 AM |
Preparation and characteristics of p-type ZnO by treated gaseous ammonia annealing |
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| Tang Li-Dan and Zhang Yue.Preparation and characteristics of p-type ZnO by treated gaseous ammonia annealing[J].Chinese Physics B,2008,17(2):1145-1149. |
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| Authors: | Tang Li-Dan and Zhang Yue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-type ZnO Al+N codoping RF/DC magnetron sputtering |
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