| 采用MOCVD法在p型Si衬底上生长Zn0薄膜 |
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| 引用本文： | 张源涛,崔勇国,张宝林,朱慧超,李万成,常遇春,杨树人,杜国同.采用MOCVD法在p型Si衬底上生长Zn0薄膜[J].人工晶体学报,2005,34(6):1137-1140. |
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| 作者姓名： | 张源涛 崔勇国 张宝林 朱慧超 李万成 常遇春 杨树人 杜国同 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130012;吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130012;大连理工大学物理系,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.60307002）;吉林大学青年教师基金和吉林大学创新基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2).通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性.此外,所生长n-ZnO/p-Si异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小.在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 Si衬底 PL谱 异质结 |
| 文章编号： | 1000-985X（2005）06-1137-04 |
| 收稿时间： | 07 14 2004 12:00AM |
| 修稿时间： | 2004-07-14 |
ZnO Thin Film Grown on p-Si Substrates by MOCVD |
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| ZHANG Yuan-tao,CUI Yong-guo,ZHANG Bao-lin,ZHU Hui-chao,LI Wan-cheng,CHANG Yu-chun,YANG Shu-ren,DU Guo-tong.ZnO Thin Film Grown on p-Si Substrates by MOCVD[J].Journal of Synthetic Crystals,2005,34(6):1137-1140. |
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| Authors: | ZHANG Yuan-tao CUI Yong-guo ZHANG Bao-lin ZHU Hui-chao LI Wan-cheng CHANG Yu-chun YANG Shu-ren DU Guo-tong |
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| Institution: | 1. State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China; 2. Department of Physics, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO film Si substrate photoluminescence heterojunctions |
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