| 高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性 |
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| 引用本文： | 张素梅,石家纬,赵世舜,胡贵军.高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性[J].发光学报,2004,25(3):267-271. |
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| 作者姓名： | 张素梅 石家纬 赵世舜 胡贵军 |
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| 作者单位： | 吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,数学学院,吉林,长春,130012 |
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| 基金项目： | 教育部博士点基金资助项目 |
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| 摘 要： | 为了提高器件的可靠性和使用寿命，设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs／GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器，发射波长为808nm，腔长900μm，条宽100μm，其外延结构与通常的808nm AlGaAs／GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同，在p-n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层，其厚度约为0．1μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响，在n^ -GaAs衬底和n-Al0．5Ga0．5As下包层间加一层n^ -GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs／GaAs大功率半导体激光器相比，远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性。3000h的恒流电老化结果表明，器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降，输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性。
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| 关 键 词： | 高功率半导体激光器 远结 单量子阱 AlGaAs/GaAs |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)03-0267-05 |
| 修稿时间： | 2003年5月15日 |
High-power AlGaAs/GaAs Single Quantum Well (SQW) Remote Junction Lasers and Its Aging Characteristic |
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| ZHANG Su mei ,SHI Jia wei ,ZHAO Shi shun ,HU Gui jun.High-power AlGaAs/GaAs Single Quantum Well (SQW) Remote Junction Lasers and Its Aging Characteristic[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(3):267-271. |
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| Authors: | ZHANG Su mei SHI Jia wei ZHAO Shi shun HU Gui jun |
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| Institution: | ZHANG Su mei 1,SHI Jia wei 1,ZHAO Shi shun 2,HU Gui jun 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-power semiconductor laser remote junction single quantum well (SQW) AlGaAs/GaAs |
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