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| 红外焦平面技术的重要进展──单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技术 | |
| 引用本文： | 魏同立, 郑茳, 吴金. 红外焦平面技术的重要进展──单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技术[J]. 物理, 1994, 23(3). |
| 作者姓名： | 魏同立 郑茳 吴金 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心,南京210018 |
| 摘 要： | 由ＳｉＧｅ合金与Ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ＳｉＧｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ＳｉＧｅ材料的制备以及低温ＳｉＧｅ器件研制中的几个关键技术。 |
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