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| P型高阻硅单晶材料的寿命初探 | |
| 引用本文： | 张由群,刘兴德,邓宪章.P型高阻硅单晶材料的寿命初探[J].成都理工大学学报(自然科学版),2003,30(5):547-550. |
| 作者姓名： | 张由群 刘兴德 邓宪章 |
| 作者单位： | 1. 成都理工大学信息工程学院,成都,610059 2. 成都理工大学地球科学学院 3. 四川省峨眉半导体材料研究所硅单晶研究室 |
| 摘 要： | 高寿命、低补偿的P型高阻硅单晶是制作激光探测器的重要材料。寿命是P型商阻硅单晶材料的重要参数。作者选择了3组N型多晶硅原材料进行试验，其中每组2个样品，共为6个样品。在实验的基础上，分析了影响P型高阻硅单晶材料寿命的因素。研究结果表明，P型高阻硅单晶材料的寿命不仅取决于晶体的完整性和材料的纯度，而且还与原材料和成晶工艺有密切关系，同时作者提出了提高P型高阻硅单晶的寿命的几点建议。 |
| 关 键 词： | 寿命 缺陷 纯度 P型高阻硅单品 |
| 文章编号： | 1671-9727(2003)05-0547-04 |
| 修稿时间： | 2003年1月2日 |
STUDY ON THE LIFETIME IMPROVEMENT OF P-TYPE HIGH-RESISTANCE SILICON SINGLE CRYSTAL MATERIALS |
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| Abstract: | |
| Keywords: | lifetime disfigurement purity P-type high-resistance silicon single-crystal |
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