| 用大面积立式旋转盘MOVPE反应器生长Ⅲ族氮化物材料 |
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| 引用本文： | Ramer J,Parekh R,Ronan B,Loftus C,Gurary A. 用大面积立式旋转盘MOVPE反应器生长Ⅲ族氮化物材料[J]. 发光学报, 2001, 22(Z1): 95-98 |
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| 作者姓名： | Ramer J Parekh R Ronan B Loftus C Gurary A |
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| 作者单位： | EMCORE Corporation, 394 Elizabeth Ave.,,EMCORE Corporation, 394 Elizabeth Ave. |
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| 摘 要： | 为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器.本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器,其中的衬底片载盘直径为325mm.每次沉积过程中,载盘上可以放置21片2英寸直径的衬底片.反应器的内壁通过水冷,其温度可保持在50～60℃之间.衬底片可用电热丝加热,沉积中衬底载盘的旋转速度可达1 000～1 500rpm.本文给出了用这种325mm GaN生长系统生长的未掺杂GaN,InGaN和p-GaN外延层的相关结果.这些结果表明,这种旋转盘的反应器是一种很适合大尺寸载盘的系统,完全满足Ⅲ族氮化物材料体系生长的要求.与在小反应器中生长的材料相比,用这种大反应器生长的材料具有相同的质量.这种325mm的GaN反应器将使制备蓝光和绿光LED所用的Ⅲ族氮化外延材料的生产成本得到显著的降低.
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| 关 键 词： | Ⅲ族氮化物材料 MOVPE外延生长 立式旋转盘反应器 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)增-0095-04 |
| 修稿时间： | 2001-03-17 |
MOVPE Growth of Ⅲ-N Materials with Large Area (21 × 2") Vertical Rotating Disk Reactors |
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| Ramer J,Parekh R,Ronan B,Loftus C,Gurary A. MOVPE Growth of Ⅲ-N Materials with Large Area (21 × 2") Vertical Rotating Disk Reactors[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001, 22(Z1): 95-98 |
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| Authors: | Ramer J Parekh R Ronan B Loftus C Gurary A |
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