| 我国半导体物理研究进展 |
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| 引用本文： | 夏建白,黄昆.我国半导体物理研究进展[J].物理,1999,28(9):525-529. |
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| 作者姓名： | 夏建白 黄昆 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所 [2]超晶格国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展，它包括三个方面，半导体超晶格、微结构；半导体表面、界面和杂质、缺陷；以及半导体新材料、新结构，这些进展说明，半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位，它仍是一门年轻的、富有生命力的学科，预期在将来有更大的发展。
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| 关 键 词： | 半导体 超晶格 微结构 中国 半导体物理 |
RECENT DEVELOPMENTS OF SEMICONDUCTOR PHYSICS |
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| Xia Jianbai\ Huang Kun.RECENT DEVELOPMENTS OF SEMICONDUCTOR PHYSICS[J].Physics,1999,28(9):525-529. |
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| Authors: | Xia Jianbai\ Huang Kun |
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| Abstract: | Recent developments of semiconductor physics in China are briefly reviewed,mainly with in the following three areas:1.Semiconductor superlattices and microstructure;2.Surfaces and interfaces,impurities and defects;3.New materials and structures.We show that semiconductor research plays an outstanding role in the development of physics and advanced technology.It is still a vigorously growing subject,with even more important future advances to be expected. |
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| Keywords: | semiconductor superlattice microstructure |
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