大尺寸β-Ga2O3晶片的机械剥离及性能北大核心

针对β—Ga2O3单晶易解理的特性，研究了晶体形状对其（100）主解理面的机械剥离影响。结果表明，棱角较为平缓的体单晶机械剥离时容易出现碎裂，而棱角尖锐的体单晶极易实现机械剥离，并且成功剥离出尺寸大于30mm×10mm的β-Ga2O3单晶片。测试了剥离的β-Ga2O3单晶片微观形貌、表面粗糙度、晶体质量以及位错。结果显示，剥离的β-Ga2O3单晶片具有高的表面质量；原子力显微镜（AFM）测试表明，晶片整体表面粗糙度小于1nm，存在0．5～1nm厚的原子台阶；晶片X射线衍射（XRD）摇摆曲线测试显示，其半高宽（FWHM）值低至50arc-sec，表明晶体具有较高的质量；对晶片进行位错腐蚀，结果显示制备的β-Ga2O3晶片具有较低的位错密度，约为6×10^4cm^-2。