| 与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 顾俊,吴渊渊,杨文献,陆书龙,罗向东.与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能北大核心CSCD[J].半导体技术,2016(7):532-538. |
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| 作者姓名： | 顾俊 吴渊渊 杨文献 陆书龙 罗向东 |
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| 作者单位： | 1.南通大学理学院215125;2.南通大学江苏ASIC设计重点实验室226019;3.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室215125; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61574161；61574130)；江苏省自然科学基金资助项目(BK20151455) |
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| 摘 要： | 采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的InAlN外延薄膜。使用高分辨率透射电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜和阴极荧光光谱(CL)对制备的InAlN材料进行了测试和表征。结果表明,InAlN/GaN异质界面清晰,In_(0.18)Al_(0.82)N外延材料(002)面X射线衍射峰半高宽为263 arcsec,表面粗糙度仅为0.23 nm,CL发光波长为283 nm,弯曲系数为5.2 e V,根据CL图像估算的材料位错密度约为2×108cm-2。
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| 关 键 词： | 分子束外延(MBE) InAlN 晶格匹配 弯曲系数 表面粗糙度 |
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