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1.55μm SiGe 2×3光开关
引用本文:Chen Zhiwen,Li Baojun,Chaudhari B S,Chua S J. 1.55μm SiGe 2×3光开关[J]. 半导体学报, 2006, 27(3): 494-498
作者姓名:Chen Zhiwen  Li Baojun  Chaudhari B S  Chua S J
作者单位:中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州 510275;中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州 510275;International Institute of Information Technology,Pune 411057,India;Center for Optoelectronics,Department of Electrical and Computer Engineering,National University of Singapore,Singapore 119260,Singapore;Institute of Materials Research and Engineering,Singapore 117602,Singapore
基金项目:中国科学院资助项目 , 重庆市应用基础研究基金 , 广东省博士启动基金 , 广东省广州市科技计划
摘    要:利用多模干涉效应和自由载流子等离子体色散效应设计和模拟了基于1.55μm波长的2×3 SiGe光开关.该光开关由两个单模输入端口、一个多模干涉区和三个单模输出端口构成.在多模干涉区,设有两个折射率调制区,可以利用来把从两个输入端口输入的光信号分别从三个输出端口输出.束传播法分析结果表明,该光开关的传输损耗小于1.43dB,串扰在-18~-32.8dB之间.

关 键 词:集成光学  光开关  多模干涉  integrated optics  photonic switch  multimode interference  SiGe  光开关  Photonic Switch  crosstalk  results  show  insertion loss  Switching  characteristics  beam propagation method  regions  optical networks  signals  output  section  input  ridge waveguide  ports  DWDM  window
文章编号:0253-4177(2006)03-0494-05
修稿时间:2005-09-07

A 2 × 3 Photonic Switch in SiGe for 1.55μm Operation
Chen Zhiwen,Li Baojun,Chaudhari B S and Chua S J. A 2 × 3 Photonic Switch in SiGe for 1.55μm Operation[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(3): 494-498
Authors:Chen Zhiwen  Li Baojun  Chaudhari B S  Chua S J
Affiliation:State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies,Sun Yat-Sen University,Guangzhou 510275,China;State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies,Sun Yat-Sen University,Guangzhou 510275,China;International Institute of Information Technology,Pune 411057,India;Center for Optoelectronics,Department of Electrical and Computer Engineering,National University of Singapore,Singapore 119260,Singapore;Institute of Materials Research and Engineering,Singapore 117602,Singapore
Abstract:
Keywords:integrated optics  photonic switch  multimode interference
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