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| 高温工艺对TiSi2／n^＋—Poly—Si复合栅MOS电容特性... | |
| 引用本文： | 陶江,武国英.高温工艺对TiSi2／n^＋—Poly—Si复合栅MOS电容特性...[J].半导体学报,1991,12(6):367-372,T001. |
| 作者姓名： | 陶江 武国英 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 集成电路 硅化物 复合栅 电容 膜 |
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