| 用于锑化铟电荷注入探测列阵的金属薄膜的制备和厚度控制 |
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| 引用本文： | 陈兴惠.用于锑化铟电荷注入探测列阵的金属薄膜的制备和厚度控制[J].半导体光电,1989,10(4):38-41. |
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| 作者姓名： | 陈兴惠 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所 |
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| 摘 要： | 本文简单叙述了锑化铟(InSb)电荷注入(CID)探测列阵的基本原理和工艺条件,并给出了实验结果。介绍了一种新颖的、与常规不同的铬膜淀积工艺,使用了控制厚度的监控探针和改善薄膜厚度均匀性的双源。厚度可控制在60～100,这个技术可提供满足器件制作要求的金属膜,达到了预期的目的。
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| 关 键 词： | 红外探测器 锑化铟 金属 薄膜 厚度 |
Fabrication of Metal Thin-Film and Control of the Thickness for InSb CID Detector Array |
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| Chen Xinghui Chongqing Optoelectronics Research Institute.Fabrication of Metal Thin-Film and Control of the Thickness for InSb CID Detector Array[J].Semiconductor Optoelectronics,1989,10(4):38-41. |
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| Authors: | Chen Xinghui Chongqing Optoelectronics Research Institute |
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| Institution: | Chen Xinghui Chongqing Optoelectronics Research Institute |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Infrared Detector |
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