| In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性 |
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| 引用本文： | 商丽燕,林铁,周文政,黄志明,李东临,高宏玲,崔利杰,曾一平,郭少令,褚君浩.In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性[J].物理学报,2008,57(4). |
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| 作者姓名： | 商丽燕 林铁 周文政 黄志明 李东临 高宏玲 崔利杰 曾一平 郭少令 褚君浩 |
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| 摘 要： | 研究了不同沟道厚度的In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的浓度、输运散射时间、量子散射时间以及子带之间的散射时间.结果表明,对于所研究的样品,第一子带电子受到的小角散射更强,这与第一子带电子受到了更强的电离杂质散射有关.
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| 关 键 词： | 二维电子气 散射时间 自洽计算 量子阱 子带占据 二维电子气 输运特性 transport properties Electron 电离杂质散射 小角散射 样品 量子散射 时间 浓度 结果 快速傅里叶变换 微分 振荡 Haas 分析 散射效应 厚度 |
Electron transport properties of In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells with two occupied subbands |
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| Shang Li-Yan,Lin Tie,Zhou Wen-Zheng,Huang Zhi-Ming,Li Dong-Lin,Gao Hong-Ling,Cui Li-Jie,Zeng Yi-Ping,Guo Shao-Ling,Chu Jun-Hao.Electron transport properties of In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells with two occupied subbands[J].Acta Physica Sinica,2008,57(4). |
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| Authors: | Shang Li-Yan Lin Tie Zhou Wen-Zheng Huang Zhi-Ming Li Dong-Lin Gao Hong-Ling Cui Li-Jie Zeng Yi-Ping Guo Shao-Ling Chu Jun-Hao |
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