| 硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 汪昌州,杨仕娥,陈永生,杨根,郜小勇,卢景霄.硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响[J].人工晶体学报,2007,36(1):123-128. |
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| 作者姓名： | 汪昌州 杨仕娥 陈永生 杨根 郜小勇 卢景霄 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052 |
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| 摘 要： | 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响.拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1;增加到0.75;时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5;时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小.
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| 关 键 词： | p型氢化微晶硅薄膜 掺硼比 晶化率 电导率 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）01-0123-06 |
| 修稿时间： | 2006-08-28 |
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