| 光电化学法测定硅中少子扩散长度 |
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| 引用本文： | 骆茂民,彭瑞伍.光电化学法测定硅中少子扩散长度[J].半导体学报,1989,10(4):313-316. |
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| 作者姓名： | 骆茂民 彭瑞伍 |
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| 作者单位： | 江西省科学院 中国科学院上海冶金研究所1985届研究生
(骆茂民)，中国科学院上海冶金研究所 上海(彭瑞伍) |
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| 摘 要： | 本文将Gartener方程应用于硅材料,并提出了称之为I_o/I_(ph)-α~(-1)法的光电化学法,用于测定硅中少子扩散长度.文中研究了实验条件对测量结果的影响,讨论了该法的实用价值和给出了与SPV法对比的实验结果.
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| 关 键 词： | 硅 扩散长度 液结 光电化学法 测定 |
Determination of Minority Carrier Diffusion Length in Sillicon by Photoelectrochemical Method |
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| Luo Maomin/Jiangxi Academy of SciencesPen Ruiwu/.Determination of Minority Carrier Diffusion Length in Sillicon by Photoelectrochemical Method[J].Chinese Journal of Semiconductors,1989,10(4):313-316. |
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| Authors: | Luo Maomin/Jiangxi Academy of SciencesPen Ruiwu/ |
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| Institution: | Luo Maomin/Jiangxi Academy of SciencesPen Ruiwu/Shanghai Institute of Metallurgy,Academta Sinica |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sillicon Diffusion length Liquid Junction |
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