| 碲铟汞晶体的生长研究 |
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| 引用本文： | 王领航,董阳春,介万奇.碲铟汞晶体的生长研究[J].人工晶体学报,2007,36(2):253-255. |
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| 作者姓名： | 王领航 董阳春 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;西北工业大学校科研和教改项目;西北工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体.X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量的完整单晶体.
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| 关 键 词： | HgInTe 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电半导体材料 近红外探测器 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）02-0253-03 |
| 修稿时间： | 2006-11-12 |
Crystal Growth of Mercury Indium Telluride |
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| WANG Ling-hang,DONG Yang-chun,JIE Wan-qi.Crystal Growth of Mercury Indium Telluride[J].Journal of Synthetic Crystals,2007,36(2):253-255. |
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| Authors: | WANG Ling-hang DONG Yang-chun JIE Wan-qi |
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| Abstract: | A single-phase HgInTe polycrystal has been synthesized directly from the high purity elements of Hg,In and Te in a rocking furnace.With the polycrystal materials,HgInTe single crystal has been successfully grown by vertical Bridgman method(VB).The results of X-ray diffraction analysis confirm that the as-grown crystal is single-phase of zinc-blende structure with lattice constant of a=0.6293nm and has good quality. |
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| Keywords: | HgInTe |
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