首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

碲镉汞集成偏振探测器应力分析
作者姓名:林国画  徐长彬  吴卿  李雪梨
作者单位:华北光电技术研究所,北京 100015;华北光电技术研究所,北京 100015;华北光电技术研究所,北京 100015;华北光电技术研究所,北京 100015
摘    要:红外碲镉汞集成偏振探测器的结构是采用多个芯片叠层的方式,由于各层的材料不同,热膨胀系数不同,在低温下工作时各层界面之间存在应力,应力控制的不好会造成芯片裂片等情况,导致探测器性能劣化或无法使用。本文对长波320×256碲镉汞集成偏振探测器的裂片现象进行了分析,对存在的应力运用软件进行了仿真,得到了碲镉汞芯片上的应力值及减小应力的方向。针对仿真分析的结果进行了相应的铟柱降低、碲锌镉衬底减薄的试验,解决了碲镉汞集成偏振探测器的裂片现象。

关 键 词:碲镉汞集成偏振探测器  应力  铟柱  减薄
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《激光与红外》浏览原始摘要信息
点击此处可从《激光与红外》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号