| (OsnN)0,±(n=1-6)团簇电子结构与光谱性质的理论研究 |
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| 作者姓名： | 张秀荣 吴礼清 饶倩 |
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| 作者单位： | 1. 江苏科技大学数理学院,镇江 212003;2. 江苏科技大学材料科学与工程学院,镇江 212003 |
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| 基金项目： | 江苏省高等学校研究生科研创新计划(批准号: CX09S-002Z)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用密度泛函理论中的杂化密度泛函B3LYP方法在赝势基组LANL2DZ水平上对OsnN0,±(n=1-6)团簇的各种可能构型进行了几何结构优化,得出了它们的基态构型,并对基态结构的磁学性质、自然键轨道(NBO)、光谱和芳香性进行了理论研究. 研究结果表明:OsN-和Os5N-团簇发生了"磁矩猝灭"的现象,在Os2N和Os4N<关键词：nN0,±(n=1-6)团簇')" href="#">OsnN0,±(n=1-6)团簇电子结构光谱性质密度泛函理论
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| 关 键 词： | OsnN0 ±(n=1-6)团簇 电子结构 光谱性质 密度泛函理论 |
| 收稿时间： | 2010-11-17 |
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