CdS内激子的及非激子的强激发发光

在CdS等直接带材料中研究强激发的情况要比在Ge,Si等间接带材料中的同类研究远为富有启发。这是因为为了达到例如激子的可测出的非平衡浓度必须利用较高的泵浦能级。在通常的汽相生长CdS晶体中,在束缚激子线内产生激光,一般都出现自由激子浓度的积累,所以经常是连一个能形成激子的能级也达不到。