| 金属前驱体比例和硫化温度对Cu-Sn-S薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 郭一欣,陈菲,任晓荣,程文娟. 金属前驱体比例和硫化温度对Cu-Sn-S薄膜特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(4): 939-946 |
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| 作者姓名： | 郭一欣 陈菲 任晓荣 程文娟 |
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| 作者单位： | 华东师范大学物理系,上海,200241;齐鲁工业大学电气工程与自动化学院,济南,250353 |
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| 摘 要： | 使用射频磁控溅射在镀Mo的玻璃基底上制备了Cu/Sn化学计量比为1.4 ～2.0的金属前驱体薄膜.经过400℃、450℃和500 ℃硫化后获得了一系列Cu-Sn-S薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、拉曼光谱、原子力显微镜和紫外可见近红外分光光度计对样品进行了表征.结果表明:硫化温度与前驱体中Cu/Sn化学计量比对Cu-Sn-S薄膜的结构、化学组分和光学性能影响较大.当硫化温度为450℃,前驱体中Cu/Sn化学计量比为1.4∶1时,能得到近乎单一相、四方结构的Cu2SnS3薄膜,光学带隙为1.01 eV.过高的Cu/Sn化学计量比或硫化温度都会导致Cu3SnS4或Cu4SnS4的出现.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 Cu2SnS3 硫化 光学带隙, |
Effect of Metal Precursor Ratio and Sulfurization Temperature on the Properties of Cu-Sn-S Thin Films |
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| GUO Yi-xin;CHEN Fei;REN Xiao-rong;CHENG Wen-juan. Effect of Metal Precursor Ratio and Sulfurization Temperature on the Properties of Cu-Sn-S Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2015, 44(4): 939-946 |
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| Authors: | GUO Yi-xin CHEN Fei REN Xiao-rong CHENG Wen-juan |
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| Affiliation: | GUO Yi-xin;CHEN Fei;REN Xiao-rong;CHENG Wen-juan;Department of Physics,East China Normal University;School of Electrical Engineering and Automation,Qi Lu University of Technology; |
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