| 氨气氮化Ga2O3粉体合成GaN的生长机制研究 |
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| 引用本文： | 薛小霜,王芬,朱建峰,王志伟,崔珊.氨气氮化Ga2O3粉体合成GaN的生长机制研究[J].人工晶体学报,2010,39(3):638-643. |
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| 作者姓名： | 薛小霜 王芬 朱建峰 王志伟 崔珊 |
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| 作者单位： | 陕西科技大学材料科学与工程学院,西安,710021 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，陕西科技大学科研启动基金 |
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| 摘 要： | 以Ga2O3为主要原料,通过氨气氮化反应合成了单相GaN粉体.利用X射线衍射(XRD)、扫瞄电镜(SEM)和荧光光谱(PL)分析在900～1050 ℃范围内,氮化温度和时间对产物的影响.结果表明:氮化温度在920 ℃以上时能够生成纯度较高的六方铅锌矿型GaN粉体,反应温度达到1000 ℃时,合成的粉体具有良好的结晶性能;当反应温度为1000 ℃,氮化时间为1.5 h时,所得样品发光性能优异.反应产物初始的平板和柱状结构显示了系统反应开始为气-固机制(V-S),但随时间的延长转变为以分解-重结晶为主导的合成机制,该机制使得粉体颗粒细化,并随着反应温度的提高以及氮化时间的延长,细化效果更加明显.
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| 关 键 词： | GaN 热分解 重结晶 |
Investigation on Growth Mechanism of GaN Synthesized by Ammoniating Ga_2O_3 Powders |
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| XUE Xiao-shuang,WANG Fen,ZHU Jian-feng,WANG Zhi-wei,CUI Shan.Investigation on Growth Mechanism of GaN Synthesized by Ammoniating Ga_2O_3 Powders[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(3):638-643. |
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| Authors: | XUE Xiao-shuang WANG Fen ZHU Jian-feng WANG Zhi-wei CUI Shan |
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| Institution: | XUE Xiao-shuang,WANG Fen,ZHU Jian-feng,WANG Zhi-wei,CUI Shan(School of Material Science , Engineering,Shaanxi University of Science , Technology,Xi\'an 710021,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN |
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