| 聚3-甲基噻吩的光电化学研究 |
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| 引用本文： | 武文俊,郝彦忠. 聚3-甲基噻吩的光电化学研究[J]. 影像科学与光化学, 2004, 22(5): 378-382. DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.2004.05.378 |
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| 作者姓名： | 武文俊 郝彦忠 |
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| 作者单位： | 1. 河北科技大学, 化学与制药工程学院, 河北, 石家庄, 050018;2. 河北科技大学, 化学与制药工程学院, 河北, 石家庄, 050018 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，河北省自然科学基金，河北省教育厅博士科研项目 |
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| 摘 要： | 利用光电化学方法研究了聚3-甲基噻吩的光电化学性质.其禁带宽度为1.93 eV.同时确定了它的价带、导带位置.研究还发现聚3-甲基噻吩属于直接跃迁半导体,具有很好的光电流稳定性.得到的最高IPCE值近1.0%.
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| 关 键 词： | 聚3-甲基噻吩 光电化学 导电聚合物 |
| 收稿时间： | 2004-02-14 |
A Photoelectrochemical Study of the Poly(3-Methythiophene) |
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| WU Wen-jun,HAO Yan-zhong. A Photoelectrochemical Study of the Poly(3-Methythiophene)[J]. Imaging Science and Photochemistry, 2004, 22(5): 378-382. DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.2004.05.378 |
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| Authors: | WU Wen-jun HAO Yan-zhong |
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| Affiliation: | 1. College of Chemical & Pharmaceutical Engineering Shijiazhuang 050018, Hebei, P. R. China;2. College of Science, Hebei University of Science and Technology, Shijiazhuang 050018, Hebei, P. R. China |
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| Abstract: | The photoelectrochemical properties of the poly(3-methythiophene) film on the ITO were investigated with photoelectrochemical methods.The band gap of the poly(3-methythiophene) is 193 eV.The conduction band and valence band were determined to be -3.44 eV and -5.37 eV respectively.The maximal IPCE is 1.0%. |
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| Keywords: | poly(3-methythiophene) photoelectrochemistry conducting polymers |
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