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乙醇溶液中电沉积CuInSe2(CIS)薄膜过程研究
引用本文:龙飞,杜晶晶,邹正光.乙醇溶液中电沉积CuInSe2(CIS)薄膜过程研究[J].人工晶体学报,2008,37(6):1476-1483.
作者姓名:龙飞  杜晶晶  邹正光
作者单位:桂林工学院有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室,桂林,541004;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;桂林工学院有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室,桂林,541004
摘    要:采用三电极体系,以钼片为工作电极,大面积铂网为辅助电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,以氯化铜、氯化铟、亚硒酸为原料,在无水乙醇溶液中,用阴极恒流和恒压两种沉积方法制备出CIS前驱体薄膜,采用XRD和EDAX对制备的薄膜进行了表征,分析了沉积方式、镀液离子浓度、导电盐(LiCl)含量及热处理工艺等因素对薄膜成分及形貌的影响,并对电沉积CIS薄膜的机理进行了初步探讨.在最优条件下所制备的薄膜成分接近标准比且表面致密、均匀.

关 键 词:电沉积  CIS薄膜  电流密度  沉积电压  

Study of CuInSe2(CIS)Films Using Electrodeposition in Alcohol Solution
LONG Fei,DU Jing-jing,ZOU Zheng-guang.Study of CuInSe2(CIS)Films Using Electrodeposition in Alcohol Solution[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(6):1476-1483.
Authors:LONG Fei  DU Jing-jing  ZOU Zheng-guang
Abstract:
Keywords:
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