基于氯化铯背接触处理优化硒化锑薄膜太阳电池性能 |
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作者姓名: | 赵聪 郭华飞 邱建华 丁建宁 袁宁一 |
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作者单位: | 常州大学材料科学与工程学院,常州 213000;常州大学微电子与控制工程学院,常州 213000;扬州大学,扬州 225000 |
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基金项目: | 江苏省自然科学基金(BK20220624); |
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摘 要: | 本文使用气相输运沉积的方式制备了硒化锑(Sb2Se3)薄膜太阳电池,并采用氯化铯(CsCl2)溶液对器件上界面进行处理,同时对薄膜和器件进行了一系列表征。研究发现,CsCl2溶液的背接触处理不仅可以提高器件的载流子收集以及降低上界面复合,还可以优化薄膜的结晶性、表面粗糙度和光电性能。基于FTO/CdS/Sb2Se3/CsCl2/Au的器件结构,得到了转换效率为6.32%的高效Sb2Se3薄膜太阳电池,比基础器件效率提升了12%。本文的工作对Sb2Se3薄膜太阳电池未来的研究有一定的指导作用,其他同类型半导体光伏器件也可借鉴。
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关 键 词: | 硒化锑 氯化铯 背接触处理 薄膜太阳电池 气相输运沉积技术 薄膜光电性能 |
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