切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备 |
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作者姓名: | 汪正鹏 张崇德 孙新雨 胡天澄 崔梅 张贻俊 巩贺贺 任芳芳 顾书林 张荣 叶建东 |
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作者单位: | 南京大学电子科学与工程学院 |
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基金项目: | 国家重点研发计划(2022YFB3605403);;国家自然科学基金(62234007,62293521,U21A20503,U21A2071); |
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摘 要: | 本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga2O3)单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga2O3外延膜具有较小的X射线摇摆曲线半峰全宽(1.10°)和最小的表面粗糙度(7.7 nm)。在此基础上,采用光刻、显影、电子束蒸发及剥离工艺制备了金属-半导体-金属结构的日盲紫外光电探测器,器件的光暗电流比为6.2×106,248 nm处的峰值响应度为87.12 A/W,比探测率为3.5×1015 Jones,带外抑制比为2.36×104,响应时间为226.2μs。
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关 键 词: | 超宽禁带半导体 氧化镓薄膜 金属有机物化学气相沉积 日盲紫外光电探测器 切割角 外延 |
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