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电力电子器件知识讲座(十三) MOSFET及IGBT栅级专用驱动电路(二)
引用本文:乔恩明,薛玉均,刘敏,张乃国.电力电子器件知识讲座(十三) MOSFET及IGBT栅级专用驱动电路(二)[J].电子元器件应用,2012(4):57-60.
作者姓名:乔恩明  薛玉均  刘敏  张乃国
作者单位:本刊编辑部
摘    要:3IGBT栅极驱动电路的抗干扰措施栅极驱动电路的合理布局是很重要的。减少噪声,提高可靠性,提高抗干扰能力,在合理布局中都能得到体现。(1)驱动电路的连线尽可能短,一般推荐小于500mm,而且还需采用双绞线,绞线密度最好在每10mm长度绞两次,另外,还需正确放置驱动电路板或屏蔽驱动电路,以防止驱动电路,控制板与主电路的相互干扰。

关 键 词:栅极驱动电路  电力电子器件  MOSFET  知识讲座  IGBT  抗干扰能力  干扰措施  高可靠性
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