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| 高速ECL256字×1位随机存储器 | |
| 引用本文： | 张敏,陈业新,杨华丽,罗杏珍.高速ECL256字×1位随机存储器[J].半导体学报,1980,1(1):54-64. |
| 作者姓名： | 张敏 陈业新 杨华丽 罗杏珍 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (张敏，陈业新，杨华丽)，中国科学院上海冶金研究所(罗杏珍) |
| 摘 要： | 高速 ECL 256字×1位随机存储器是在改进设计以及采用漂发射区、双层金属布线等工艺基础上得到的.地址取数时间典型值为12毫微秒,读写周期为22 毫微秒,功耗500毫瓦,可靠性高、这个器件能在环境温度-55-+150℃以及电源电压-3.5—-7.0伏范围内正常工作. 本文介绍了在线路和版图设计以及制造工艺方面的特点. |
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