| ~(60)Co和高能电子在硅中NIEL的Monte Carlo计算 |
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| 引用本文： | 陈世彬,陈雨生,黄流兴,张义门.~(60)Co和高能电子在硅中NIEL的Monte Carlo计算[J].光子学报,2000(5). |
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| 作者姓名： | 陈世彬 陈雨生 黄流兴 张义门 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所五室!西安710024，西安电子科技大学微电子所，西安710071，西北核技术研究所五室!西安710024，西北核技术研究所五室!西安710024，西安电子科技大学微电子所!西安710071 |
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| 摘 要： | 本文提出了计算高能电子和 非电离能量损失 (NIEL)的 Monte Carlo方法 ,首次利用 Monte Carlo方法计算了高能电子和 6 0 Co 的 NIEL.给出了电子和 6 0 Co 在半导体硅材料中产生的 NIEL和缺陷分布 .计算结果与文献的比较表明模型是合理的 .
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| 关 键 词： | 辐射损伤 能量沉积 Monte Carlo |
A MONTE CARLO CALCULATION OF NIEL IRRADIATION-INDUCED IN SILICON BY ~(60)Co GAMMAS AND ENERGETIC ELECTRONS |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Radiation damage Energy deposition Monte Carlo |
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