| UL S I 多层布线中SiO2 介质CM P 技术 |
| |
| 引用本文： | 檀柏梅,刘玉岭.UL S I 多层布线中SiO2 介质CM P 技术[J].电子器件,2001,24(2):101-106. |
| |
| 作者姓名： | 檀柏梅 刘玉岭 |
| |
| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所, |
| |
| 摘 要： | 对甚大规模集成电路（ULSI）多层布线中二氧化硅介质的抛光机理，工艺条件选择，抛光液成分与作用等进行了综合分析，如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题及发展趋势进行了综述，对现存的一些难题提出了改进方案。
|
| 关 键 词： | 化学机械抛光 全局平面化 多层布线 二氧化硅 CMP技术 |
| 文章编号： | 1005-9490(2001)02-0101-06 |
| 修稿时间： | 2000年11月27 |
Chemical Mechanical Polishing of Silica Dielectric in ULSI Mutilevel Metallization |
| |
| TAN Baimei,LIU Yuling.Chemical Mechanical Polishing of Silica Dielectric in ULSI Mutilevel Metallization[J].Journal of Electron Devices,2001,24(2):101-106. |
| |
| Authors: | TAN Baimei LIU Yuling |
| |
| Abstract: | The mechanism, the choosing of processing conditions and content and effect of polishing slurry of silica dielectric in ULSI multilevel are analyzed. The way of increasing the polishing rate, improving of the surface condition and avoiding metallic ions by using chemical method is outlined. Projects are suggested to solve the present problems. |
| |
| Keywords: | CMP global planarization multilayer interconnection ULSI silica dielectric |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《电子器件》下载免费的PDF全文 |
