Lu2Si2O7:Ce晶体的闪烁性能 |
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作者姓名: | 李焕英 秦来顺 姚冬敏 陆晟 任国浩 |
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作者单位: | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(50272072);国家“863”计划(2002AA324070)资助项目 |
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摘 要: | 用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7:Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5:Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8~34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。
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关 键 词: | 闪烁性能 LPS:Ce晶体 透射光谱 衰减特性 |
文章编号: | 1000-7032(2006)05-0729-06 |
收稿时间: | 2005-11-12 |
修稿时间: | 2005-11-122006-01-18 |
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